El cambio en la impedancia del electrodo del equipo semiconductor debido a procesos repetitivos es un problema importante que crea desviaciones en el proceso. En la cámara de grabado por plasma actual con un sistema de alimentación de doble frecuencia, la fuente de radiofrecuencia (RF) de alta potencia contribuye a la mejora de la densidad del plasma, y la potencia de polarización de baja frecuencia en el electrodo inferior se adopta para mejorar la energía de los iones inyectados en el plasma. El control de impedancia del electrodo superior en el plasma acoplado de capacidad de doble frecuencia limita la capacidad de coincidencia de impedancia del sistema de coincidencia de RF porque solo considera la fuente de RF de alta frecuencia. Para controlar la impedancia precisa en equipos semiconductores de doble frecuencia, se requiere un control de impedancia independiente para cada frecuencia. En este estudio, la impedancia correspondiente a una frecuencia específica se controló de forma independiente utilizando L (inductor) y C (condensador). Se utilizó un filtro de paso de 60 MHz y VVC para controlar la impedancia de 2 MHz en un punto específico, y se utilizó un filtro de paso de 2 MHz y VVC para controlar la impedancia de 60 MHz. En el caso del control de impedancia de 2 MHz, la impedancia de 2 MHz cambió de 10.9-893 a 0.3-62 y la impedancia de 60 MHz no cambió. Al controlar la impedancia de 60 MHz, la impedancia de 60 MHz cambió de 0.33 + 26.53 a 0.2 + 190 y la impedancia de 2 MHz no cambió. Los circuitos LC diseñados cubren la impedancia de 60 y 2 MHz por separado y se verifican mediante el cambio en la capacitancia de los condensadores variables de vacío implementados en el sistema de coincidencia de impedancia de RF.