La tolerancia a la radiación de los circuitos de referencia de subumbral para microelectrónica espacial es presentada. La evaluación está respaldada por resultados medidos de dosis total de ionización y efectos inducidos por radiación transitoria de eventos individuales bajo -rayos, rayos X, protones e iones pesados (silicio, criptón y xenón). Se utilizó una alta dosis total de irradiación con diferentes fuentes de radiación para evaluar las topologías propuestas para una amplia gama de aplicaciones que operan en entornos hostiles similares al del espacio. Los circuitos integrados (CI) diseñados a medida propuestos utilizan solo transistores CMOS, operando en el régimen de subumbral, y resistencias de polisilicio sin utilizar componentes externos como condensadores de compensación. Los circuitos son endurecidos a la radiación por diseño (RHBD) y fueron fabricados utilizando la tecnología CMOS estándar de 0.18 um de TowerJazz Semiconductor. Se demuestra que las referencias de voltaje propuestas son adecuadas para aplicaciones espaciales de alta precisión y bajo consumo de energía. Se demuestra que la microelectrónica endurecida a la radiación que opera en el régimen de subumbral son candidatos prometedores para reducir significativamente el tamaño y el costo de las misiones espaciales debido a los requisitos de energía reducidos.