En este trabajo, presentamos un circuito integrado de lectura y programación para celdas de Memoria de Acceso Aleatorio Resistiva (RRAM). Dado que existen muchas tecnologías RRAM diferentes en investigación y las variaciones de proceso de esta nueva tecnología de memoria a menudo se extienden sobre una amplia gama de propiedades eléctricas, el circuito propuesto se centra en la versatilidad para adaptarse a diferentes propiedades de las celdas. El circuito es adecuado tanto para operaciones de lectura como de programación basadas en pulsos de voltaje de longitud y altura flexibles. El método de lectura implementado se basa en la evaluación de la caída de voltaje sobre una resistencia de medición y puede distinguir hasta ocho estados diferentes, que están codificados en binario, realizando así una digitalización del valor de memoria analógica. El circuito se fabricó en la línea de proceso CMOS de 130 nm de IHP. Las simulaciones se realizaron utilizando un modelo RRAM basado en la física y de múltiples niveles. Los resultados de las mediciones demuestran la funcionalidad del circuito de lectura y del sistema de programación y muestran que el sistema de lectura puede distinguir hasta ocho estados diferentes con una relación de resistencia total de 7.9.