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Oscilador controlado por voltaje en chip basado en un inductor conmutado de centro-tapado utilizando tecnología HEMT de GaN-on-SiC

Autores: Kao, Hsuan-Ling

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2021

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Acceso abierto

Artículo científico
2021

Oscilador controlado por voltaje en chip basado en un inductor conmutado de centro-tapado utilizando tecnología HEMT de GaN-on-SiC


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Estudio
Oscilador controlado por voltaje
VCO
Tecnología GaN
Rango de ajuste de frecuencia
FTR

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 38

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este estudio presenta un oscilador controlado por voltaje (VCO) en una configuración de par acoplado cruzado utilizando un inductor conmutado de múltiples tomas con dos transformadores cargados con interruptores en tecnología de GaN de 0.5 um. Dos transformadores cargados con interruptores se colocan en las porciones interna y externa del inductor de múltiples tomas. Todos los interruptores se apagan para obtener la sub-banda más baja. El transformador externo con tres pares de interruptores se enciende alternativamente para proporcionar tres modos de sub-banda. Un par de interruptores en el transformador interno proporciona una banda de alta frecuencia. Se encienden dos transformadores cargados con interruptores para proporcionar la sub-banda más alta. Se seleccionan seis modos para proporcionar un amplio rango de sintonización. El rango de sintonización de frecuencia (FTR) del VCO es del 27.8% de 3.81 GHz a 8.04 GHz con un voltaje de varactor de 13 V a 22 V. Con un desplazamiento de frecuencia de 1 MHz desde la frecuencia portadora de 4.27 GHz, el ruido de fase pico es de -119.17 dBc/Hz. Con una fuente de alimentación de 12 V, la potencia de salida de la portadora a 4.27 GHz es de 20.9 dBm. La figura de mérito es de -186.93 dB porque el VCO presenta una alta potencia de salida, bajo ruido de fase y un amplio FTR. Según el conocimiento del autor, el FTR en VCOs hechos de transistores de movilidad electrónica de alta de GaN es el más amplio reportado hasta ahora.

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