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Ta-quatro: celda sram resistente a errores suaves y eficiente en energía para cómputo en memoria sin adc con peso binario y activación ternaria

Autores: Nguyen, Thanh-Dat; Le, Minh-Son; Pham, Thi-Nhan; Chang, Ik-Joon

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

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Acceso abierto

Artículo científico
2024

Ta-quatro: celda sram resistente a errores suaves y eficiente en energía para cómputo en memoria sin adc con peso binario y activación ternaria


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Aplicaciones
Ultrabajo consumo de energía
Alta resistencia a la radiación
Computación en memoria
Celda SRAM
Activaciones ternarias

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 49

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Algunas aplicaciones, como los satélites, requieren una potencia ultrabaja y una alta resistencia a la radiación. Desarrollamos una celda SRAM resistente a errores a12Tsoft, TA-Quatro, para ofrecer computación en memoria (IMC) para esas aplicaciones. Basándonos en nuestra celda TA-Quatro, implementamos un circuito IMC para admitir pesos binarios y activaciones ternarias en una sola celda SRAM. Nuestra simulación bajo la tecnología FD-SOI de 28 nm demuestra que el circuito IMC TA-Quatro mantiene una buena estabilidad de IMC con un suministro escalado de 0.7V y logra activación ternaria sin necesidad de convertidores analógico-digitales. Estos avances mejoran significativamente la eficiencia energética del circuito IMC propuesto en comparación con los trabajos de vanguardia.

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