Celda SRAM de 10T resistente a la radiación, tolerante a errores suaves y consciente de la inestabilidad de temperatura por sesgo
Autores: Shah, Ambika Prasad; Waltl, Michael
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Celda SRAM de 10T resistente a la radiación, tolerante a errores suaves y consciente de la inestabilidad de temperatura por sesgo
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
AS10T
Celda SRAM
Circuito de lectura desacoplado
Circuito de aumento de carga
Margen de ruido
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 22
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, proponemos una celda SRAM de 10T resistente a la radiación asimétrica (AS10T) y analizamos el impacto de las inestabilidades de temperatura del sesgo (BTI) en la perturbación por evento único de la estructura modificada. Para ello, utilizamos un circuito de desacoplamiento de lectura para mejorar la estabilidad del ciclo de lectura, y un circuito amplificador de carga para aumentar la carga crítica en el nodo sensible de la celda SRAM.
Descripción
En este documento, proponemos una celda SRAM de 10T resistente a la radiación asimétrica (AS10T) y analizamos el impacto de las inestabilidades de temperatura del sesgo (BTI) en la perturbación por evento único de la estructura modificada. Para ello, utilizamos un circuito de desacoplamiento de lectura para mejorar la estabilidad del ciclo de lectura, y un circuito amplificador de carga para aumentar la carga crítica en el nodo sensible de la celda SRAM.