En las últimas tres décadas, se han diseñado y mejorado muchos Flip-Flops (FFs) endurecidos por diseño contra la radiación (RHBD) para ser inmunes a las alteraciones causadas por eventos únicos (SEUs). Sus especificaciones se mejoran en cuanto a tolerancia a errores suaves, sobrecarga de área, consumo de energía y retardo. En esta revisión, los FFs RHBD presentados previamente se clasifican en tres categorías con una descripción general de cada una. Se simulan seis arquitecturas de FFs RHBD bien conocidas utilizando un proceso CMOS de 180 nm para mostrar una comparación justa entre ellas, mientras que el Flip-Flop de Puerta de Transmisión convencional (TGFF) se utiliza como diseño de referencia para esta comparación. Los resultados de la comparación se analizan para resaltar aspectos importantes sobre cada diseño.