Caracterización eléctrica de línea coaxial basada en vias a través de silicio para integración en 3D de alta frecuencia (artículo invitado)
Autores: Zhao, Zhibo; Li, Jinkai; Yuan, Haoyun; Wang, Zeyu; Gugliandolo, Giovanni; Donato, Nicola; Crupi, Giovanni; Si, Liming; Bao, Xiue
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Caracterización eléctrica de línea coaxial basada en vias a través de silicio para integración en 3D de alta frecuencia (artículo invitado)
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Tsv
Línea coaxial
Pérdida de alta frecuencia
Sustrato de silicio
Coincidencia de impedancia
Rendimiento eléctrico
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
Las técnicas de líneas coaxiales basadas en Through-Silicon-Via (TSV) pueden reducir la pérdida de alta frecuencia debido a la baja resistividad en el sustrato de silicio y, por lo tanto, pueden mejorar la eficiencia de la transmisión de señales verticales.
Descripción
Las técnicas de líneas coaxiales basadas en Through-Silicon-Via (TSV) pueden reducir la pérdida de alta frecuencia debido a la baja resistividad en el sustrato de silicio y, por lo tanto, pueden mejorar la eficiencia de la transmisión de señales verticales.