Caracterización de detectores de avalancha de bajo ganancia en obleas de silicio de boro irradiado, enriquecido en carbono y galio
Autores: Castillo García, Lucía; Gkougkousis, Evangelos Leonidas; Grieco, Chiara; Grinstein, Sebastian
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Caracterización de detectores de avalancha de bajo ganancia en obleas de silicio de boro irradiado, enriquecido en carbono y galio
Categoría
Gestión y administración
Subcategoría
Gestión del conocimiento
Palabras clave
Detectores de avalancha de baja ganancia
Sensores de silicio
Amplificación de señales
Rendimiento en tiempo
Colisionador de hadrones de alta luminosidad
Tecnología LGAD
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 17
Citaciones: Sin citaciones
Los Detectores de Avalancha de Bajo Ganancia (LGAD) son sensores de silicio n-on-p con una capa p dopada adicional debajo de la unión n-p que proporciona amplificación de señal. La ganancia moderada de estos sensores, junto con la región activa relativamente delgada, proporciona un excelente rendimiento temporal para Partículas Mínimamente Ionizantes (MIPs). Para mitigar el efecto de acumulación durante la era del Colisionador de Hadrones de Alta Luminosidad (HL-LHC), tanto los experimentos ATLAS como CMS instalarán nuevos detectores, el Detector de Tiempo de Alta Granularidad (HGTD) y la Capa de Tiempo de End-Cap (ETL), que se basan en la tecnología LGAD. Se presenta una caracterización completa de los sensores LGAD fabricados por el Centro Nacional de Microelectrónica (CNM), antes y después de la irradiación con neutrones de hasta 10 n/cm. Se estudian sensores producidos en obleas de 100 Si-on-Si y dopados con boro y galio, y también enriquecidos con carbono. Los resultados incluyen su caracterización eléctrica (I-V, C-V), estabilidad del voltaje de polarización y estudios de rendimiento con la Técnica de Corriente Transitoria (TCT) y un montaje de fuente radiactiva Sr-90.
Descripción
Los Detectores de Avalancha de Bajo Ganancia (LGAD) son sensores de silicio n-on-p con una capa p dopada adicional debajo de la unión n-p que proporciona amplificación de señal. La ganancia moderada de estos sensores, junto con la región activa relativamente delgada, proporciona un excelente rendimiento temporal para Partículas Mínimamente Ionizantes (MIPs). Para mitigar el efecto de acumulación durante la era del Colisionador de Hadrones de Alta Luminosidad (HL-LHC), tanto los experimentos ATLAS como CMS instalarán nuevos detectores, el Detector de Tiempo de Alta Granularidad (HGTD) y la Capa de Tiempo de End-Cap (ETL), que se basan en la tecnología LGAD. Se presenta una caracterización completa de los sensores LGAD fabricados por el Centro Nacional de Microelectrónica (CNM), antes y después de la irradiación con neutrones de hasta 10 n/cm. Se estudian sensores producidos en obleas de 100 Si-on-Si y dopados con boro y galio, y también enriquecidos con carbono. Los resultados incluyen su caracterización eléctrica (I-V, C-V), estabilidad del voltaje de polarización y estudios de rendimiento con la Técnica de Corriente Transitoria (TCT) y un montaje de fuente radiactiva Sr-90.