Caracterización del proceso de auto-calentamiento en HEMTs basados en GaN
Autores: Gryglewski, Daniel; Wojtasiak, Wojciech; Kaminska, Eliana; Piotrowska, Anna
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Caracterización del proceso de auto-calentamiento en HEMTs basados en GaN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Caracterización térmica
Transistores de potencia de microondas
HEMTs basados en GaN
Sistemas de comunicación inalámbrica
Efectos de auto-calentamiento
Resistencia térmica
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
La caracterización térmica de los modernos transistores de potencia de microondas como los transistores de alta movilidad electrónica basados en nitruro de galio (HEMT basados en GaN) es un desafío crítico para el desarrollo de sistemas de comunicación inalámbrica de nueva generación de alto rendimiento (LTE-A, 5G) y radares avanzados (escaneo electrónico activo en red (AESA)).
Descripción
La caracterización térmica de los modernos transistores de potencia de microondas como los transistores de alta movilidad electrónica basados en nitruro de galio (HEMT basados en GaN) es un desafío crítico para el desarrollo de sistemas de comunicación inalámbrica de nueva generación de alto rendimiento (LTE-A, 5G) y radares avanzados (escaneo electrónico activo en red (AESA)).