La resistencia de puerta es un elemento parásito en los transistores para circuitos de radiofrecuencia y de ondas milimétricas que puede impactar negativamente en la ganancia de potencia y la figura de ruido. Para desarrollar modelos precisos de dispositivos, es crucial contar con una metodología de medición confiable. Este artículo revisa la metodología de medición estándar utilizada en la literatura y también propone un método adicional, el cual es evaluado utilizando estructuras de prueba adecuadas en un proceso FinFET de 16 nm. Se discuten las ventajas y desventajas de los dos enfoques junto con sus respectivos escenarios de aplicación.