Como candidato prometedor en aplicaciones endurecidas contra la radiación espacial, los dispositivos de silicio sobre aislante (SOI) enfrentan el grave problema de la dosis total de radiación ionizante (TID) debido a la capa gruesa de óxido enterrado (BOX). El método de corriente-voltaje de corriente continua (DCIV) se aplicó para estudiar la radiación TID de los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) SOI con diferentes procesos de fabricación. Se encontró que el pico de los dispositivos de alto voltaje (PX) muestra un mayor desplazamiento a la izquierda y un aumento más lento a lo largo de la dosis de radiación, en comparación con los dispositivos de bajo voltaje (PV). Se ilustra que la alta concentración de impurezas de tipo P cerca de la interfaz trasera hace que sea más difícil romper los enlaces de hidrógeno de silicio, lo que otorga a los dispositivos PX superioridad en la resistencia a la acumulación de trampas de interfaz. Los resultados del estudio indican que aumentar la concentración de dopaje de la región del cuerpo cerca de la interfaz de la compuerta trasera podría ser una técnica alternativa de endurecimiento contra la radiación de los dispositivos MOSFET SOI para evitar la fuga de transistores parásitos traseros.