Esta contribución trata sobre la caracterización lineal de microondas y la medición de la figura de ruido de cuatro transistores de alta movilidad electrónica de GaAs pseudomórficos en oblea con anchos de puerta escalados. La campaña de medición propuesta se llevó a cabo en dos laboratorios diferentes: la Universidad de Messina, Italia y el Laboratorio de Investigación Naval de los Estados Unidos en Washington, DC. Se emplearon dos enfoques equivalentes de manera directa: una técnica estándar basada en sintonizadores y una técnica novedosa sin sintonizador. La efectividad de la técnica novedosa fue confirmada al llevarse a cabo de forma independiente por los dos laboratorios, evidenciando los beneficios de ambas técnicas. La actividad experimental propuesta destaca la aplicabilidad de la técnica sin sintonizador para la caracterización de ruido de dispositivos avanzados en oblea sin la restricción impuesta por la adición de un sintonizador de fuente al montaje estándar de medición.