Los memristores fueron propuestos a principios de la década de 1970 por Leon Chua como un nuevo elemento eléctrico que vincula la carga con el flujo. Desde esa primera introducción, estos dispositivos se han posicionado para ser considerados posibles elementos fundamentales para las generaciones de dispositivos electrónicos por venir. En este documento, proponemos una nueva forma de investigar los efectos de las variables eléctricas sobre la memristancia de un dispositivo, y aplicamos con éxito esta técnica para modelar el comportamiento de una estructura ReRAM TiN/Ti/HfO/W. Para hacerlo, aplicamos inicialmente la técnica del Mapa de Ruta Dinámica en el caso general para obtener una aproximación a la ecuación diferencial que determina el comportamiento del dispositivo. Esto se realiza eligiendo una variable de interés y observando la evolución de su propia derivada temporal versus tanto su valor como el voltaje aplicado. Luego, de acuerdo con esta técnica, es posible obtener un enfoque a las ecuaciones de gobierno sin necesidad de hacer ninguna suposición sobre los mecanismos físicos subyacentes, ajustando una función a esto. Hemos utilizado una función polinómica, que permite una reproducción precisa del comportamiento eléctrico observado de los dispositivos medidos, integrando el sistema de ecuaciones diferenciales resultante.