En esta tesis, se investigan transistores de película delgada fotográfica de óxido de aluminio-galio-cinc (AGZO) fabricados mediante el método de co-sputtering. La transmitancia y absorción muestran que el AGZO es altamente transparente en la región de luz visible, y la banda prohibida del AGZO puede ajustarse variando la potencia de co-sputtering. El TFT de AGZO demuestra un alto rendimiento con un voltaje umbral (V) de 0.96 V, una relación de corriente de encendido/apagado de 1.01 x 10, y una pendiente subumbral (SS) de 0.33 V/dec. Además, el AGZO tiene potencial para aplicaciones de ceguera solar debido a su amplia banda prohibida. El PTFT de AGZO de esta investigación puede lograr una relación de rechazo de 4.31 x 10 con la potencia de sputtering adecuada y un tiempo de subida y caída de 35.5 s y 51.5 s.