El transistor de película delgada Corbino con offset es un buen candidato para transistor de película delgada de alto voltaje (HVTFT) debido a la distribución uniforme del campo eléctrico de drenaje que se beneficia de la estructura circular. El modelo físico de las características del transistor de película delgada Corbino con offset aún no ha sido aclarado. En este estudio, se derivan ecuaciones para describir las relaciones corriente-voltaje de TFT Corbino con offset en los lados de drenaje o fuente. La influencia de la posición y parámetros de offset en el voltaje de saturación y la corriente de saturación se describió cuantitativamente. La simulación de diseño asistido por computadora tridimensional y los resultados experimentales verifican el modelo físico teórico. Nuestro modelo físico proporciona reglas de diseño para TFT Corbino con offset de alto voltaje al considerar la tolerancia de voltaje y el equilibrio de corriente de saturación.