Los transistores de efecto de campo de túnel con compuerta conectada a tierra (ggTFETs) se consideran dispositivos básicos de protección contra descargas electrostáticas (ESD) en circuitos integrados con TFET. El método de prueba de ESD de pulso de línea de transmisión se utiliza para analizar en profundidad las características de corriente y el mecanismo de trabajo del impacto de ESD del TFET convencional. Sobre esta base, se propuso un transistor de efecto de campo de túnel (TFET) SiGe Fuente/Drenaje PNN (P+N+N+), que fue simulado por el software de diseño asistido por computadora (TCAD) de tecnología Sentaurus. Los resultados de la simulación mostraron que el voltaje de activación del TFET SiGe PNN era un 46.3% menor, y la corriente de falla un 13.3% mayor que la del TFET convencional. Después de analizar los resultados de la simulación, se optimizaron los parámetros del TFET SiGe PNN. Se analizó y explicó la única ruta de corriente del TFET SiGe PNN en el caso de conexión a tierra de la compuerta.