El dispositivo de memoria de acceso aleatorio de puente conductivo (CBRAM) ha sido ampliamente estudiado como un candidato prometedor para aplicaciones de memoria no volátil de próxima generación, donde el Cu como electrodo juega un papel importante en el proceso de conmutación resistiva (RS). Sin embargo, la mayoría de los estudios solo utilizan Cu como un electrodo, ya sea el electrodo superior (TE) o el electrodo inferior (BE); rara vez se informa que Cu se utiliza como TE y BE al mismo tiempo. En este estudio, fabricamos dispositivos CBRAM utilizando Cu como TE y BE, y estudiamos las características RS de estos dispositivos. Con AlO como capa de conmutación (5~15 nm), los dispositivos mostraron buenas características bipolares de RS. La resistencia del dispositivo podría ser de hasta 10 ciclos y el tiempo de retención podría ser de hasta 10 s. El grosor de AlO influye en las características bipolares de RS de los dispositivos, incluida la resistencia inicial, el proceso de formación, la resistencia y el rendimiento de retención. Los dispositivos RRAM basados en electrodos de Cu también presentan características de conmutación resistiva complementaria suprimida por sesgo negativo (CRS), lo que hace efectivo prevenir el problema de corriente de camino furtivo o crosstalk en circuitos de matrices de memoria de alta densidad.