Este trabajo se centra en presentar un modelo novedoso que describe una capa de un material semiconductor microelongado excitado. Durante los procesos de fotoexcitación, el modelo es investigado en un campo rotacional. El modelo introduce la función escalar de microelongación, que describe los procesos de microelementos de acuerdo con la teoría micropolar-termoelástica. El modelo estudia el caso de interacción entre ondas ópticas-termo-mecánicas bajo el efecto de parámetros de rotación cuando se tienen en cuenta los parámetros de microelongación de acuerdo con la teoría foto-termoelástica. Las principales ecuaciones gobernantes se han tomado en forma adimensional durante la deformación electrónica y termoelástica y se han estudiado bajo la técnica de onda armónica. Las soluciones generales de los campos básicos del medio semiconductor microelongado isotrópico, homogéneo y lineal se obtienen en dos dimensiones (2D). Se toman muchas condiciones en la superficie libre del medio para obtener las soluciones completas. Se utilizan los parámetros físicos del silicio (Si) para ilustrar la simulación numérica de los campos principales. Se realizaron varias comparaciones e ilustraciones gráficas bajo la influencia de diferentes parámetros de tiempo de relajación y rotación.