Potencial de canal de óxido de túnel de ingeniería de brecha de banda (BE-TOX) en cadenas de memoria flash NAND 3D inhibidas
Autores: Cho, Taeyoung; Jung, Sungyeop; Kang, Myounggon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Potencial de canal de óxido de túnel de ingeniería de brecha de banda (BE-TOX) en cadenas de memoria flash NAND 3D inhibidas
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Canal potencial
BE-TOX
Memoria flash NAND 3D
Espesor equivalente de óxido
Fenómeno de acoplamiento descendente
Autoimpulso local natural
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, se analiza el potencial del canal de cadenas inhibidas en la memoria flash NAND 3D utilizando una estructura de óxido de túnel con ingeniería de brecha de banda (BE-TOX).
Descripción
En este estudio, se analiza el potencial del canal de cadenas inhibidas en la memoria flash NAND 3D utilizando una estructura de óxido de túnel con ingeniería de brecha de banda (BE-TOX).