Se investiga un modelo teórico novedoso que describe los efectos dinámicos de los procesos de microelongación de un medio semiconductor emocionante. Se tiene en cuenta la influencia del campo magnético para el medio excitado ópticamente de acuerdo con las características de transporte fototérmico. Las ecuaciones gobernantes fueron derivadas durante los procesos de deformación electrónica (ED) y termoelástica (TED) cuando se tuvieron en cuenta los parámetros de microelongación del medio semiconductor. Se investiga la interferencia entre ondas térmicas-magnéticas-microelongadas-plasmáticas-mecánicas. Se utilizan expresiones adimensionales para resolver las ecuaciones principales de acuerdo con la técnica de onda armónica en la deformación bidimensional (2D). Se obtuvieron soluciones completas de las expresiones del campo físico cuando se aplicaron algunas condiciones en la superficie externa del semiconductor. El modelo teórico de semiconductor microelongado en esta investigación fue verificado comparándolo con algunos estudios previos. La simulación numérica de las distribuciones de campo físico principales se muestra gráficamente cuando se utiliza el material de silicio (Si). Se discutió el impacto de varios factores como el campo magnético, el efecto de memoria térmica y la microelongación en las propagaciones de ondas para los campos principales.