La dopaje de carbono en el buffer de los transistores de alta movilidad de electrones de AlGaN/GaN (HEMTs) conduce al fenómeno de colapso de corriente notorio. En este documento, se propone una estructura de HEMT con un GaN p-dopado conectado a la fuente (SCPG) incrustado en el buffer semiaislante dopado con carbono para suprimir el efecto de colapso de corriente inducido por el buffer. Se realizó una simulación transitoria bidimensional para mostrar la exitosa supresión del colapso de corriente inducido por el buffer en los SCPG-HEMTs en comparación con los HEMTs convencionales. El mecanismo de supresión de la degradación dinámica de la resistencia en estado encendido al expulsar huecos desde el SCPG hacia la capa de buffer de alta resistividad después de un estrés en estado apagado se ilustra en base a diagramas de bandas de energía. Este documento aporta una estructura de dispositivo innovadora para potencialmente resolver la degradación inducida por el buffer de la resistencia dinámica en dispositivos de potencia de GaN.