Es sabido a partir de muchos datos publicados sobre silicio amorfo o policristalino y sobre transistores de película delgada (TFTs) basados en óxidos metálicos que sus parámetros eléctricos mejoran al disminuir el grosor de la capa del canal. El origen de esta mejora se discute aquí solo a través de argumentos electrostáticos. En particular, se muestra que el comportamiento de la pendiente subumbral con el grosor no depende del tipo de materiales. El material y sus defectos eléctricos solo determinan la importancia de la mejora pero no la tendencia hacia mejores parámetros eléctricos. Mientras tanto, en general, la estabilidad eléctrica bajo estrés de compuerta también mejora. La mejora de la estabilidad se explica por la reducción de la carga electrónica dentro de la capa del canal, lo que conduce a una menor inyección de electrones en el aislante de compuerta.