El propósito de este trabajo fue investigar la validez de las pruebas de vida acelerada de Arrhenius cuando se aplican a las evaluaciones de vida útil de los transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN HEMT), donde la suposición estándar es que el único factor de estrés crítico es la temperatura, que se deriva de la potencia de funcionamiento, la resistencia térmica del dispositivo, el canal-carcasa y la temperatura de la placa base. Encontramos que la potencia o la temperatura por sí solas no podían explicar la diferencia en la degradación observada, y que las pruebas de vida acelerada empleadas por la industria pueden beneficiarse al considerar el impacto de factores aceleradores además de la temperatura. Específicamente, encontramos que el voltaje utilizado para alcanzar una disipación de potencia deseada es importante, y también que la aceleración de la temperatura sola o el voltaje solo (sin mucha disipación de potencia) son insuficientes para evaluar la vida útil en condiciones de funcionamiento.