Este artículo presenta un nuevo balun Marchand de banda Ka implementado en un proceso bipolar de metal-óxido-semiconductor complementario de silicio-germanio (SiGe) de 0.13 um. Al combinar estructuras acopladas tanto en los bordes como en el lado amplio, el nuevo balun híbrido es capaz de aumentar el acoplamiento y minimizar la pérdida de inserción del balun. En comparación con las estructuras convencionales acopladas en los bordes o en el lado amplio, el balun propuesto logra la menor pérdida de inserción de 1.02 dB en un amplio ancho de banda de 1 dB, que va desde 29.0 GHz hasta 46.0 GHz, con un tamaño de núcleo de 270 m 280 m.