Avances en el frente único de GaN de banda Ku para SARs espaciales: desde especificaciones del sistema hasta selección de tecnología
Autores: Scappaviva, Francesco; Bosi, Gianni; Biondi, Andrea; D"Angelo, Sara; Cariani, Luca; Vadalà, Valeria; Raffo, Antonio; Resca, Davide; Cipriani, Elisa; Vannini, Giorgio
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Avances en el frente único de GaN de banda Ku para SARs espaciales: desde especificaciones del sistema hasta selección de tecnología
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Frente de chip único
Banda Ku
Tecnología GaN en SiC
MMIC
Eficiencia añadida de potencia
Figura de ruido baja
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 30
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se presenta un front-end de chip único (SCFE) que opera en la banda Ku (12-17 GHz). Está diseñado aprovechando una tecnología GaN en SiC con una longitud de compuerta de 150 nm proporcionada por la fundición UMS. Este MMIC integra funciones de amplificación de alta potencia y bajo ruido habilitadas por un interruptor de un solo polo y doble tiro (SPDT), ocupando un área total de 20 mm. La cadena de transmisión (Tx) presenta una potencia de salida de 39 dBm, una eficiencia de potencia agregada (PAE) superior al 30% y una ganancia de potencia de 22 dB. La ruta de recepción (Rx) ofrece una figura de ruido baja (NF) inferior a 2.8 dB con 25 dB de ganancia lineal. La fuga de potencia de salida del puerto Rx está limitada en el chip para que sea inferior a 15 dBm incluso en niveles de compresión altos. Finalmente, se presenta una caracterización completa del SCFE en los modos Rx y Tx, mostrando también la medición del tiempo de recuperación en presencia de interferencias de señales grandes.
Descripción
En este documento, se presenta un front-end de chip único (SCFE) que opera en la banda Ku (12-17 GHz). Está diseñado aprovechando una tecnología GaN en SiC con una longitud de compuerta de 150 nm proporcionada por la fundición UMS. Este MMIC integra funciones de amplificación de alta potencia y bajo ruido habilitadas por un interruptor de un solo polo y doble tiro (SPDT), ocupando un área total de 20 mm. La cadena de transmisión (Tx) presenta una potencia de salida de 39 dBm, una eficiencia de potencia agregada (PAE) superior al 30% y una ganancia de potencia de 22 dB. La ruta de recepción (Rx) ofrece una figura de ruido baja (NF) inferior a 2.8 dB con 25 dB de ganancia lineal. La fuga de potencia de salida del puerto Rx está limitada en el chip para que sea inferior a 15 dBm incluso en niveles de compresión altos. Finalmente, se presenta una caracterización completa del SCFE en los modos Rx y Tx, mostrando también la medición del tiempo de recuperación en presencia de interferencias de señales grandes.