Técnica de desequilibrio de corriente de auto-supresión activa para MOSFETs de carburo de silicio conectados en paralelo
Autores: Giannopoulos, Nektarios; Ioannidis, George; Psomopoulos, Constantinos
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Técnica de desequilibrio de corriente de auto-supresión activa para MOSFETs de carburo de silicio conectados en paralelo
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Carburo de silicio
MOSFETs
Desequilibrio de corriente
Dispositivos de potencia
Técnicas
Paralelización
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
En la actualidad, las aplicaciones de potencia media y alta hacen uso de los MOSFET de carburo de silicio (SiC), y muchas veces su paralelización es necesaria.
Descripción
En la actualidad, las aplicaciones de potencia media y alta hacen uso de los MOSFET de carburo de silicio (SiC), y muchas veces su paralelización es necesaria.