Memoria de conmutación resistiva auto-rectificante basada en disulfuro de molibdeno para reducción de corriente de fuga en matrices de sinapsis
Autores: Jang, DongJun; Kwon, Min-Woo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Memoria de conmutación resistiva auto-rectificante basada en disulfuro de molibdeno para reducción de corriente de fuga en matrices de sinapsis
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivos de memoria de acceso aleatorio resistiva
Pd
MoS
Comportamiento de conmutación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 50
Citaciones: Sin citaciones
La memoria de acceso aleatorio resistiva ha surgido como una tecnología prometedora de memoria no volátil, recibiendo una atención sustancial debido a su potencial para un alto rendimiento operativo, bajo consumo de energía, robustez a la temperatura y escalabilidad.
Descripción
La memoria de acceso aleatorio resistiva ha surgido como una tecnología prometedora de memoria no volátil, recibiendo una atención sustancial debido a su potencial para un alto rendimiento operativo, bajo consumo de energía, robustez a la temperatura y escalabilidad.