Aumento de inmunidad EMI y linealidad de un convertidor de voltaje a retardo de 180 nm CMOS
Autores: Richelli, Anna; Colalongo, Luigi; Bosio, Federico Angelo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Aumento de inmunidad EMI y linealidad de un convertidor de voltaje a retardo de 180 nm CMOS
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Unidad de retardo controlada por voltaje
Arquitectura novedosa
Rango de linealidad
Interferencias electromagnéticas
Inversor con corriente limitada
Riel a riel.
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta una unidad de retardo controlada por voltaje (VCDU) con una arquitectura novedosa que permite un amplio rango de entrada de linealidad y una mejor inmunidad a las interferencias electromagnéticas. El circuito se basa en un inversor con corriente limitada con una técnica de polarización para extender el rango de voltaje de entrada de linealidad cerca del rango de linealidad de riel a riel. El esquema propuesto fue diseñado por el proceso CMOS estándar de UMC de 180 nm y funciona sin amplificadores o comparadores que consuman mucha energía. Tiene un suministro de voltaje de 1.8 V y presenta un rango de linealidad de riel a riel (0-1.8 V) con un jitter inducido por EMI promedio de solo el 1% del retardo nominal.
Descripción
Este documento presenta una unidad de retardo controlada por voltaje (VCDU) con una arquitectura novedosa que permite un amplio rango de entrada de linealidad y una mejor inmunidad a las interferencias electromagnéticas. El circuito se basa en un inversor con corriente limitada con una técnica de polarización para extender el rango de voltaje de entrada de linealidad cerca del rango de linealidad de riel a riel. El esquema propuesto fue diseñado por el proceso CMOS estándar de UMC de 180 nm y funciona sin amplificadores o comparadores que consuman mucha energía. Tiene un suministro de voltaje de 1.8 V y presenta un rango de linealidad de riel a riel (0-1.8 V) con un jitter inducido por EMI promedio de solo el 1% del retardo nominal.