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Aumento de inmunidad EMI y linealidad de un convertidor de voltaje a retardo de 180 nm CMOS

Autores: Richelli, Anna; Colalongo, Luigi; Bosio, Federico Angelo

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2022

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Acceso abierto

Artículo científico
2022

Aumento de inmunidad EMI y linealidad de un convertidor de voltaje a retardo de 180 nm CMOS


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Unidad de retardo controlada por voltaje
Arquitectura novedosa
Rango de linealidad
Interferencias electromagnéticas
Inversor con corriente limitada
Riel a riel.

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 26

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este documento presenta una unidad de retardo controlada por voltaje (VCDU) con una arquitectura novedosa que permite un amplio rango de entrada de linealidad y una mejor inmunidad a las interferencias electromagnéticas. El circuito se basa en un inversor con corriente limitada con una técnica de polarización para extender el rango de voltaje de entrada de linealidad cerca del rango de linealidad de riel a riel. El esquema propuesto fue diseñado por el proceso CMOS estándar de UMC de 180 nm y funciona sin amplificadores o comparadores que consuman mucha energía. Tiene un suministro de voltaje de 1.8 V y presenta un rango de linealidad de riel a riel (0-1.8 V) con un jitter inducido por EMI promedio de solo el 1% del retardo nominal.

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