Efectos del anodizado con láser de pulsos ultra cortos en transistores de MoS con contactos asimétricos y simétricos
Autores: Kwon, Hyeokjin; Baik, Seunghun; Jang, Jae Eun; Jang, Jaewon; Kim, Sunkook; Grigoropoulos, Costas P.; Kwon, Hyuk-Jun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Efectos del anodizado con láser de pulsos ultra cortos en transistores de MoS con contactos asimétricos y simétricos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Láser pulsado
Transistores de película delgada de MoS
Sustratos plásticos
Movilidad
Pendiente de subumbral
Resistencia de contacto
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
El proceso de recocido con láser de pulsos ultra cortos mejora el rendimiento de los transistores de película delgada de MoS en sustratos plásticos sin daño térmico.
Descripción
El proceso de recocido con láser de pulsos ultra cortos mejora el rendimiento de los transistores de película delgada de MoS en sustratos plásticos sin daño térmico.