Enfoque analítico para mejorar el rendimiento de un amplificador de potencia de clase F totalmente integrado con tecnología BiCMOS de 0.13 um utilizando modulación de capacitor de drenaje-bulto
Autores: Traiche, Smail; Trabelsi, Mohamed; Bououden, Ali; Yagoub, Mustapha C. E.
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Enfoque analítico para mejorar el rendimiento de un amplificador de potencia de clase F totalmente integrado con tecnología BiCMOS de 0.13 um utilizando modulación de capacitor de drenaje-bulto
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nueva técnica
Modulación de capacitor de drenaje-masa
Amplificador de potencia de clase-F
Técnica de modulación de amplitud I-Q
Compensaciones de linealidad-eficiencia-miniaturización
Componente de corriente armónica
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo informa sobre una técnica novedosa basada en la modulación del condensador de drenaje-bulk para mejorar el diseño de rendimiento de un amplificador de potencia (PA) de clase-F utilizado en transceptores de baja potencia basados en la técnica de modulación de amplitud I-Q considerando compensaciones de linealidad-eficiencia-miniaturización.
Descripción
Este artículo informa sobre una técnica novedosa basada en la modulación del condensador de drenaje-bulk para mejorar el diseño de rendimiento de un amplificador de potencia (PA) de clase-F utilizado en transceptores de baja potencia basados en la técnica de modulación de amplitud I-Q considerando compensaciones de linealidad-eficiencia-miniaturización.