Se diseña una estructura de barrera posterior de AlGaN polarizada novel insertada para mejorar el rendimiento del transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) InAlN/GaN, que es investigado mediante simulaciones de deriva-difusión bidimensionales. Los resultados indican que la confinación de portadores del HEMT de barrera posterior de AlGaN graduada se mejora significativamente debido a la discontinuidad de la banda de conducción de aproximadamente 0,46 eV en la interfaz de la heterounión GaN/AlGaN. Mientras tanto, la concentración de gas de electrones bidimensional (2DEG) del canal de electrones parásito puede reducirse mediante una composición de Al en gradiente que conduce a la relajación completa de la red sin polarización piezoeléctrica, lo cual se compara con el HEMT de barrera posterior AlGaN convencional. Además, en comparación con el HEMT de barrera posterior convencional con un contenido de Al fijo, se puede lograr un mayor transconductancia, una corriente más alta y un mejor rendimiento de radiofrecuencia con una barrera posterior de AlGaN graduada.