Simulación y análisis de resultados de un UMOFSET de óxido escalonado con compuerta dividida y resurgimiento con electrodo flotante para mejorar el rendimiento
Autores: Chen, Runze; Wang, Lixin; Jiu, Naixia; Zhang, Hongkai; Guo, Min
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Simulación y análisis de resultados de un UMOFSET de óxido escalonado con compuerta dividida y resurgimiento con electrodo flotante para mejorar el rendimiento
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Estudio
óxido escalonado en resurf de puerta dividida
Electrodo flotante
Voltaje de ruptura
Figura de mérito
Resultados de simulación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 28
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, se ha propuesto un UMOSFET FSGRSO con un óxido escalonado de puerta dividida con un electrodo flotante. La fuente en la trinchera se divide en dos electrodos, a saber: el electrodo superior y el electrodo inferior. El superior es el electrodo flotante, que redistribuye el potencial eléctrico verticalmente, y mejora la tensión de ruptura y la figura de mérito (FOM). La tensión de ruptura (BV) y la FOM del UMOSFET FSGRSO se han mejorado hasta un 27,3% y un 62,7%, respectivamente, en comparación con el UMOSFET SGRSO, según los resultados de la simulación.
Descripción
En este estudio, se ha propuesto un UMOSFET FSGRSO con un óxido escalonado de puerta dividida con un electrodo flotante. La fuente en la trinchera se divide en dos electrodos, a saber: el electrodo superior y el electrodo inferior. El superior es el electrodo flotante, que redistribuye el potencial eléctrico verticalmente, y mejora la tensión de ruptura y la figura de mérito (FOM). La tensión de ruptura (BV) y la FOM del UMOSFET FSGRSO se han mejorado hasta un 27,3% y un 62,7%, respectivamente, en comparación con el UMOSFET SGRSO, según los resultados de la simulación.