Se investigan las actuaciones de los amplificadores monolíticos WR-3.4 fabricados utilizando dispositivos HBT de InP de doble dedo de 6 um. Mientras que un amplificador utiliza los dispositivos de doble dedo formados simplemente conectando dos HBTs estándar de dedo único existentes, el segundo amplificador utiliza dispositivos recién formados que comparten un metal colector común en un área de aislamiento de dispositivo fusionado único. Los amplificadores que utilizan dos tipos de dispositivos basados en las redes de coincidencia idénticas se fabrican para pruebas de exploración en oblea. El amplificador de dispositivo fusionado personalizado muestra claras ventajas de rendimiento sobre el amplificador de dispositivo separado, mostrando una ganancia máxima de 10.5 dB y una potencia de salida máxima de 5.2 dBm a 255 GHz.