El objetivo de este estudio fue determinar las propiedades electrónicas de películas delgadas de óxido de zinc dopado con Ge depositadas por ALD y recocidas a 523 K o 673 K. Las mediciones de SEM, EDS y elipsometría confirmaron que las películas de óxido de zinc dopado con Ge con un espesor de alrededor de 100 nm y composición uniforme se obtuvieron con éxito. Las mediciones de GI-XRD no revelaron fases distintas de la estructura de Wurtzita esperada del ZnO. Las propiedades electrónicas, es decir, la conductividad, la concentración de portadores de carga y la movilidad de las películas, se evaluaron utilizando mediciones del efecto Hall y se explicaron en base a las correspondientes mediciones de XPS. Este trabajo respalda la teoría de que las vacantes de oxígeno actúan como donantes de electrones y contribuyen a la conductividad de tipo -intrínseco del ZnO. Además, se muestra que el efecto de las vacantes de oxígeno en las propiedades electrónicas del material es más fuerte que el efecto introducido por el dopado con Ge.