Hemos investigado el efecto de la masa efectiva de electrones (*) y la densidad de trampas de borde tipo aceptor en la cola () en las características eléctricas de transistores de película delgada de amorfos de InGaZnO (a-IGZO) a través de simulación numérica. Para examinar la credibilidad de nuestra simulación, encontramos que ajustando * a 0.34 de la masa de electrones libre (m), podemos derivar preferentemente las propiedades eléctricas obtenidas experimentalmente de los TFTs a-IGZO convencionales a través de nuestra simulación. Nuestra simulación inicial consideró el efecto de * en las características eléctricas independientemente de . Variamos el valor de * sin cambiar las otras variables relacionadas con la densidad de trampas no dependientes de ella. A medida que * se incrementaba a 0.44 m, la movilidad de efecto de campo () y la corriente en estado de encendido () disminuyeron debido a la mayor dispersión por debajo del hueco basada en el comportamiento de captura de electrones. Sin embargo, la tensión umbral () no cambió significativamente debido a las trampas efectivas tipo aceptor fijas (). En realidad, dado que la magnitud de se vio afectada por la magnitud de *, controlamos * junto con el valor como una simulación secundaria. A medida que la magnitud de ambos * y aumentaba, y Ion disminuyó mostrando el mismo fenómeno que la primera simulación. La magnitud de fue mayor en comparación con la primera simulación debido a la menor conductividad en el canal. En este sentido, nuestros métodos de simulación mostraron que controlar * y simultáneamente se esperaría predecir y optimizar las características eléctricas de los TFTs a-IGZO de manera más precisa.