Demostramos el efecto de la densidad de estados por debajo del hueco (DOS) en las características eléctricas de los transistores de película delgada de óxido de indio-galio-cinc (IGZO) amorfo. El análisis numérico basado en un simulador de dispositivos bidimensional Atlas controló los parámetros DOS por debajo del hueco, como estados aceptores tipo cola, estados donores tipo cola, estados aceptores tipo Gauss y estados donores tipo Gauss en los TFTs de IGZO amorfo. Confirmamos la precisión al explotar factores físicos, como la vacante de oxígeno, peróxido, complejo de hidrógeno, túnel de banda a banda y túnel asistido por trampas. En consecuencia, los parámetros eléctricos principales, como el voltaje umbral, movilidad de saturación, pendiente subumbral y relación de corriente de encendido-apagado, son ajustados efectivamente mediante el control de la distribución de DOS por debajo del hueco en los TFTs de IGZO amorfo.