En respuesta a la creciente demanda de tecnologías de memoria avanzadas, este estudio investiga un chip de memoria de cambio de fase (PCRAM) de 4 Mb que emplea un material dieléctrico de GeSbTe dopado con carbono (C-GST) para lograr un almacenamiento de múltiples etapas. El método de programación y verificación de Reinicio Parcial (P&V) se utilizó para crear eficazmente estados de resistencia intermedios, facilitando el almacenamiento multinivel. El estudio se centra en optimizar los parámetros clave que afectan al método P&V para mejorar la precisión y eficiencia en alcanzar valores de resistencia intermedios. A través de una experimentación exhaustiva en la matriz de PCRAM, este trabajo evalúa el rendimiento del almacenamiento multinivel, proporcionando información sobre el potencial de aplicaciones de memoria escalables y de alta densidad.