Una de las características importantes de la RAM Resistiva (RRAM) es su modulación de conductancia, lo que la hace adecuada para sistemas informáticos neuromórficos. En este documento, se evalúa la modulación de conductancia de dispositivos RAM basados en óxido (OxRAM) en base a datos experimentales para revelar su comportamiento sináptico analógico inherente. Un chip de prueba hecho de un arreglo de memoria elemental clásico 1T-1R se utiliza para demostrar la modulación de conductancia. El uso de un conjunto de celdas, en lugar de una celda aislada, permite capturar variabilidades temporales y espaciales. Por lo tanto, la capacidad de múltiples niveles de resistencia de las OxRAMs se evalúa en un contexto más realista. Se utilizan dos técnicas de programación diferentes para programar las celdas OxRAM. El primer enfoque se basa en el control del voltaje de RESET (RST). El segundo enfoque se basa en el control de la corriente de cumplimiento durante la operación de SET. En ambos enfoques, aunque se pueden obtener fácilmente múltiples niveles de resistencia, se demuestra que una implementación exitosa de un esquema confiable de modulación de conductancia depende principalmente de la capacidad de controlar precisamente el impacto de la variabilidad en los diferentes niveles de conductancia obtenidos después de la operación de programación.