Los dispositivos MOSFET de doble difusión vertical basados en silicio (VDMOS) son componentes importantes del sistema de energía de las naves espaciales. Sin embargo, el VDMOS es sensible al efecto de dosis ionizante total (TID) y puede presentar variabilidad en la respuesta a la TID. La variabilidad de la respuesta a la TID dentro de un lote de dispositivos VDMOS basados en silicio es estudiada mediante el experimento de irradiación con rayos gamma Co en este artículo. Se obtienen las variaciones en los parámetros del dispositivo después de la irradiación, y se revela el mecanismo de daño. Los resultados experimentales muestran que las desviaciones estándar del voltaje de umbral, la pendiente de subumbral, la capacitancia de salida y el voltaje directo del diodo aumentan, mientras que la desviación estándar de la máxima transconductancia disminuye después de la irradiación. La desviación estándar de la resistencia en estado activo es básicamente inalterada antes y después de la irradiación. Al separar las cargas atrapadas generadas por la irradiación de TID, se encuentra que la desviación de las cargas atrapadas en el óxido y las trampas de interfaz aumentan con el aumento de la dosis total. Las razones de la variación en los parámetros del dispositivo después de la irradiación son reveladas mediante el establecimiento de la relación entre las cargas atrapadas y los parámetros eléctricos antes y después de la irradiación.