La investigación de nuevos circuitos de memoria es muy importante para el desarrollo de memorias no volátiles y de acceso aleatorio (RAM) de futuras generaciones y esquemas modernos para cálculos en memoria. El propósito de la presente investigación es proponer un análisis detallado de las matrices de memoria basadas en memristores pasivos e híbridos con transistores separadores de óxido metálico semiconductor (MOS). Los memristores considerados están basados en HfO. Los transistores se aplican para eliminar los caminos parásitos en los esquemas. Para las simulaciones, se utiliza una función de ventana fuertemente no lineal modificada previamente propuesta por el autor junto con un modelo de memristor no lineal físico. El modelo considerado se ajusta de acuerdo con la relación experimental de los memristores de HfO. La relación obtenida por la simulación se ajusta con éxito a la relación respectiva derivada por mediciones físicas. Se establece una buena coincidencia entre estas características. También se aplican varias funciones de ventana básicas para comparar con los resultados correspondientes. El modelo propuesto se analiza en el Programa de Simulación Personal con Énfasis en Circuitos Integrados (PSpice) y también se utiliza para la simulación de un fragmento de 5 x 5 de una matriz de memoria de memristor con transistores aislantes y para el análisis de una matriz de memoria pasiva de 6 x 6. Las matrices investigadas se simulan para escribir, leer y borrar información. Se establece que el modelo propuesto podría ser utilizado para simulaciones de circuitos de memristor complejos.