Debido a la existencia de parámetros parásitos en la aplicación de dispositivos de Carburo de Silicio (SiC), los dispositivos de SiC tienen malas actuaciones de apagado. El diodo de SiC y el MOSFET de SiC tienen una severa sobretensión y oscilación en el apagado. El amortiguador del lado de CC es un método simple de supresión. El circuito más simple es el capacitor de desacoplamiento de alta frecuencia en paralelo con la pata del puente. Sin embargo, la elección del valor del componente es empírica. Basado en las impedancias de terminal de apagado del diodo de SiC y del MOSFET de SiC, se analiza el mecanismo de supresión de este amortiguador del lado de CC. Se proporciona la selección de la guía para el valor del componente. Además, se analiza el amortiguador del lado de CC con una resistencia de amortiguación basada en las impedancias de terminal. Se proporcionan los principios de diseño. Finalmente, la validez y efectividad de los amortiguadores del lado de CC se demostraron en función de la plataforma de prueba de doble pulso.