Se investiga la transmisión de señales dependiente del sesgo de los transistores sinápticos flexibles. Los nuevos dispositivos neuromórficos se fabrican en una lámina de plástico delgada y transparente, incorporando un semiconductor orgánico de alto rendimiento, dinapto[2,3-b:2,3-f]tieno[3,2-b]tiofeno, en el canal activo. Al emular picos en diferentes voltajes sinápticos, la característica de plasticidad a corto plazo de los dispositivos se modula sustancialmente. Al adoptar un modelo iterativo para las corrientes de salida sinápticas, se estiman los parámetros físicos clave asociados con la dinámica de los portadores de carga. Se encuentra que el enfoque de extracción correlativa produce ajustes cercanos a los resultados experimentales, y se racionaliza la evolución sistemática de las constantes temporales.