Análisis de la falla de HBM en la memoria flash NAND 3D
Autores: Song, Biruo; Li, Zhiguo; Wang, Xin; Fu, Xiang; Liu, Fei; Jin, Lei; Huo, Zongliang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Análisis de la falla de HBM en la memoria flash NAND 3D
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Memoria flash NAND
HBM
Fallo
Calentamiento local
Robustez ESD.
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Los eventos de descarga electrostática (ESD) son los principales factores que impactan en la fiabilidad de la memoria flash NAND. El comportamiento del modelo de cuerpo humano (HBM) en caso de fallo y el mecanismo físico correspondiente de la memoria flash NAND 3D son investigados en este documento. Se presenta primero un fallo catastrófico por quemado durante el zapeo HBM. El análisis muestra que el calentamiento local de los dedos NMOS inducido por la resistencia del sustrato no homogénea y el calentamiento local inducido por el contacto del drenaje y la estructura de circuito integrado apilado en 3D (SIC) conducen al fallo. Por lo tanto, se propone un nuevo enfoque para reducir la generación de calor local. Finalmente, al aumentar la longitud de N+ (NPL) e introducir una nueva tira de contacto, los resultados de silicio muestran una robustez mejorada ante ESD.
Descripción
Los eventos de descarga electrostática (ESD) son los principales factores que impactan en la fiabilidad de la memoria flash NAND. El comportamiento del modelo de cuerpo humano (HBM) en caso de fallo y el mecanismo físico correspondiente de la memoria flash NAND 3D son investigados en este documento. Se presenta primero un fallo catastrófico por quemado durante el zapeo HBM. El análisis muestra que el calentamiento local de los dedos NMOS inducido por la resistencia del sustrato no homogénea y el calentamiento local inducido por el contacto del drenaje y la estructura de circuito integrado apilado en 3D (SIC) conducen al fallo. Por lo tanto, se propone un nuevo enfoque para reducir la generación de calor local. Finalmente, al aumentar la longitud de N+ (NPL) e introducir una nueva tira de contacto, los resultados de silicio muestran una robustez mejorada ante ESD.