Examen de Estructuras Caóticas en Series de Tiempo de Voltaje de Semiconductores o Aleaciones: Un Enfoque de Red Compleja para el Caso de TlInTe
Autores: Tsiotas, Dimitrios; Magafas, Lykourgos; P. Hanias, Michael
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Examen de Estructuras Caóticas en Series de Tiempo de Voltaje de Semiconductores o Aleaciones: Un Enfoque de Red Compleja para el Caso de TlInTe
Categoría
Ciencias Naturales y Subdisciplinas
Subcategoría
Física
Palabras clave
Propone
Método
Estructuras caóticas
Series temporales
Análisis de redes complejas
Semiconductor
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 20
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo propone un método para examinar estructuras caóticas en series temporales de oscilación de voltaje de semiconductores o aleaciones, y se centra en el caso del semiconductor TlInTe. Las series temporales de voltaje disponibles se caracterizan por inestabilidades en la resistencia diferencial negativa en la región de la característica corriente-voltaje, y son principalmente caóticas por naturaleza. El análisis utiliza un análisis de red compleja de las series temporales y aplica el algoritmo del gráfico de visibilidad para transformar las series temporales disponibles en un gráfico, de modo que se puedan estudiar las propiedades topológicas del gráfico en lugar de la serie temporal original. Los resultados revelan una configuración híbrida similar a una red y una estructura jerárquica principal que corresponde a características libres de escala en la topología del gráfico de visibilidad, lo cual está de acuerdo con la estructura caótica híbrida y semi-periódica por defecto de las series temporales. Se aplica una nueva conceptualización de detección de comunidades basada en la optimización de modularidad a las series temporales disponibles y revela dos comunidades principales que pueden relacionarse con el atractor par a par del retrato de fase de las oscilaciones de voltaje de la serie temporal TlInTe. Además, el análisis de red revela qué medidas de red son más capaces de preservar las propiedades caóticas de la serie temporal original. Este análisis revela información métrica que puede complementar la información cualitativa del espacio de fases. En general, este artículo propone un análisis de red compleja de las series temporales como un método para abordar la complejidad de la física de semiconductores y aleaciones.
Descripción
Este artículo propone un método para examinar estructuras caóticas en series temporales de oscilación de voltaje de semiconductores o aleaciones, y se centra en el caso del semiconductor TlInTe. Las series temporales de voltaje disponibles se caracterizan por inestabilidades en la resistencia diferencial negativa en la región de la característica corriente-voltaje, y son principalmente caóticas por naturaleza. El análisis utiliza un análisis de red compleja de las series temporales y aplica el algoritmo del gráfico de visibilidad para transformar las series temporales disponibles en un gráfico, de modo que se puedan estudiar las propiedades topológicas del gráfico en lugar de la serie temporal original. Los resultados revelan una configuración híbrida similar a una red y una estructura jerárquica principal que corresponde a características libres de escala en la topología del gráfico de visibilidad, lo cual está de acuerdo con la estructura caótica híbrida y semi-periódica por defecto de las series temporales. Se aplica una nueva conceptualización de detección de comunidades basada en la optimización de modularidad a las series temporales disponibles y revela dos comunidades principales que pueden relacionarse con el atractor par a par del retrato de fase de las oscilaciones de voltaje de la serie temporal TlInTe. Además, el análisis de red revela qué medidas de red son más capaces de preservar las propiedades caóticas de la serie temporal original. Este análisis revela información métrica que puede complementar la información cualitativa del espacio de fases. En general, este artículo propone un análisis de red compleja de las series temporales como un método para abordar la complejidad de la física de semiconductores y aleaciones.