Las memorias de baja potencia suelen operar en la región de subumbral del dispositivo; sin embargo, a medida que la tensión de suministro continúa disminuyendo, el impacto de la corriente de fuga en la estabilidad de la SRAM se vuelve más significativo. El método tradicional de medir la tolerancia al ruido estático solo considera el efecto del voltaje, y los resultados de la medición no son lo suficientemente precisos. Por lo tanto, este documento propone un análisis de estabilidad basado en la corriente de fuga que proporciona mejores métricas, tolerancia al ruido de corriente de lectura (RINM) y tolerancia al ruido de corriente de escritura (WINM) para medir la estabilidad de las SRAM de subumbral. Se tuvieron en cuenta tanto las corrientes como los voltajes. Los resultados demuestran que el método es más preciso que el método convencional en niveles de subumbral.