Estudio y evaluación de los efectos de defectos y trampas en las capacidades actuales de un MOSFET de potencia basado en 4H-SiC
Autores: Pezzimenti, Fortunato; Bencherif, Hichem; De Martino, Giuseppe; Dehimi, Lakhdar; Carotenuto, Riccardo; Merenda, Massimo; Della Corte, Francesco G.
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Estudio y evaluación de los efectos de defectos y trampas en las capacidades actuales de un MOSFET de potencia basado en 4H-SiC
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Simulación
Efectos de trampa
Efectos de defecto
MOSFET
Física dependiente de la temperatura
Trampas de interfaz
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Se realiza un estudio de simulación numérica que tiene en cuenta los efectos de trampas y defectos en las características corriente-voltaje de un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de potencia basado en 4H-SiC en una amplia gama de temperaturas y condiciones de polarización.
Descripción
Se realiza un estudio de simulación numérica que tiene en cuenta los efectos de trampas y defectos en las características corriente-voltaje de un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de potencia basado en 4H-SiC en una amplia gama de temperaturas y condiciones de polarización.