logo móvil
Contáctanos

Estudio sistemático de las propiedades básicas de dispositivos de ondas acústicas de superficie basados en multicapas de ZnO y GaN

Autores: Shen, Junyao; Fu, Sulei; Su, Rongxuan; Xu, Huiping; Zeng, Fei; Song, Cheng; Pan, Feng

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2020

Descargar PDF

Acceso abierto

Artículo científico
2020

Estudio sistemático de las propiedades básicas de dispositivos de ondas acústicas de superficie basados en multicapas de ZnO y GaN


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Ondas acústicas de superficie
Estructuras multicapa
Películas delgadas
Gas de electrones 2-D
Orientaciones cristalinas
Coeficiente de acoplamiento electromecánico

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 31

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Recientemente, los dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW) basados en estructuras multicapa son un área de investigación popular. Las estructuras multicapa, incluidas ZnO y GaN, han mostrado un gran rendimiento y pueden aplicarse en diversos campos. Mientras tanto, películas delgadas, como AlGaN y n-ZnO, pueden agregarse a estas estructuras para formar un gas de electrones 2-D (2DEG) que hace que los dispositivos sean ajustables. Este trabajo estudia sistemáticamente las propiedades básicas de los dispositivos SAW basados en ZnO y GaN multicapa a través de COMSOL Multiphysics. Se simulan los tipos de estructuras con diferentes orientaciones cristalinas, y se consideran varios modos acústicos. Los resultados muestran que se puede lograr un rango de velocidad de fase de aproximadamente 2700 m/s a 6500 m/s, y los dispositivos basados en ZnO y GaN multicapa pueden cumplir con los requisitos del coeficiente de acoplamiento electromecánico de aproximadamente 0 a 7%. Las propiedades únicas de cada estructura son valiosas para diversas aplicaciones. Por ejemplo, la estructura c-ZnO/c-GaN/c-zafiro puede usarse para dispositivos SAW de alta frecuencia y ancho de banda, mientras que los dispositivos SAW basados en a-ZnO/a-GaN/r-zafiro y 2DEG son adecuados para sensores SAW programables. Este trabajo tiene un gran valor de referencia para futuras investigaciones sobre dispositivos SAW.

Otros recursos que podrían interesarte

Temas Virtualpro