Análisis de parámetros del modelo y mecanismo de degradación de transistores bipolares de heterounión de fosfuro de indio expuestos a irradiación de protones
Autores: Zhao, Xiaohong; Wang, Hongwei; Zhang, Yihao; Chen, You; Cheng, Siyi; Wang, Xing; Peng, Fang; Yang, Yongjian; Tang, Guannan; Bai, Yurong; Sun, Shaowei
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Análisis de parámetros del modelo y mecanismo de degradación de transistores bipolares de heterounión de fosfuro de indio expuestos a irradiación de protones
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Degradación
Fosfuro de indio
Irradiación de protones
Modelo compacto
Recocido
Parámetros
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
Las propiedades de degradación de los transistores bipolares de heterounión de fosfuro de indio (InP HBTs) bajo irradiación de protones son estudiadas y modeladas utilizando un modelo compacto para pre-irradiación, post-irradiación y post-recocido.
Descripción
Las propiedades de degradación de los transistores bipolares de heterounión de fosfuro de indio (InP HBTs) bajo irradiación de protones son estudiadas y modeladas utilizando un modelo compacto para pre-irradiación, post-irradiación y post-recocido.