Modelado y análisis analítico de la corriente-voltaje actual del transistor MFIS Gate-All-Around con Negative-Capacitance
Autores: Kim, Yeji; Seon, Yoongeun; Kim, Soowon; Kim, Jongmin; Bae, Saemin; Yang, Inkyung; Yoo, Changhyun; Ham, Junghoon; Hong, Jungmin; Jeon, Jongwook
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Modelado y análisis analítico de la corriente-voltaje actual del transistor MFIS Gate-All-Around con Negative-Capacitance
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivos semiconductores de baja potencia
Transistor de efecto de campo de capacitancia negativa
Arquitectura de puerta alrededor de todo
Modelo compacto
Relaciones corriente-voltaje
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Recientemente, de acuerdo con la demanda de desarrollo de dispositivos semiconductores de baja potencia, se ha investigado ampliamente un transistor de efecto de campo de capacitancia negativa (NC-FET) que integra material ferroeléctrico en una pila de compuertas y utiliza un comportamiento capacitivo negativo.
Descripción
Recientemente, de acuerdo con la demanda de desarrollo de dispositivos semiconductores de baja potencia, se ha investigado ampliamente un transistor de efecto de campo de capacitancia negativa (NC-FET) que integra material ferroeléctrico en una pila de compuertas y utiliza un comportamiento capacitivo negativo.